| |
|
| Artikel-Nr.: 8737-3773158 Herst.-Nr.: SIJH800E-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
| | |
|
| | |
| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00122 ohmProduktpalette: TrenchFET Gen IV MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 4 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 299 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: PowerPAK Drain-Source-Spannung Vds: 80 VVerlustleistung: 333 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Ja |
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIJH800E-T1-GE3, 3773158, 377-3158 |
| | |
| |