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| Artikel-Nr.: 8737-3782491 Herst.-Nr.: SQJQ112E-T1_GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0021 ohmProduktpalette: TrenchFET Gen IV MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 5 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 296 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: PowerPAK Drain-Source-Spannung Vds: 100 VVerlustleistung: 600 WQualifikation: AEC-Q101 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SQJQ112E-T1_GE3, 3782491, 378-2491 |
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