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| Artikel-Nr.: 8737-3801708 Herst.-Nr.: SQJA26EP-T1_GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 660 µohmProduktpalette: TrenchFET Gen IV MSL: - Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 410 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: PowerPAK SO Drain-Source-Spannung Vds: 30 VVerlustleistung: 500 WQualifikation: AEC-Q101 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SQJA26EP-T1_GE3, 3801708, 380-1708 |
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