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| Artikel-Nr.: 8737-3870107 Herst.-Nr.: TK33S10N1Z,LQ(O EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082 ohmProduktpalette: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 33 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Drain-Source-Spannung Vds: 100 VVerlustleistung: 125 WQualifikation: AEC-Q101 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 VSVHC: No SVHC (08-Jul-2021) RoHS konform: Keine Angaben |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, TOSHIBA, TK33S10N1Z,LQ(O, 3870107, 387-0107 |
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