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INFINEON IMW65R057M1HXKSA1 MOSFET, N-KANAL, 650V, 35A, TO-247

Menge:

Stück

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
8737-3889203

Hersteller:
Infineon

Herst.-Nr.:
IMW65R057M1HXKSA1

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet

Rds(on)-Prüfspannung: 18 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.057 ohm

Produktpalette: CoolSiC Series

Anzahl der Pins: 3 Pin(s)

MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins

Kanaltyp: n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 35 A

Betriebstemperatur, max.: 175 °C

Bauform - Transistor: TO-247

Drain-Source-Spannung Vds: 650 V

Verlustleistung: 133 W

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 V

SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

RoHS konform: Ja

... > Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden > FETs > Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET & -Module

Weitere Suchbegriffe: (SiC)-MOSFET, Dioden, FETs, Gleichrichter, Module, Siliziumkarbid, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, IMW65R057M1HXKSA1, 3889203, 388-9203

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