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STARPOWER GD200HFX65C2S IGBT-MODUL, 650V, 247A


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8737-3912074
Hersteller:
     STARPOWER
Herst.-Nr.:
     GD200HFX65C2S
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Dioden
Gleichrichter
IGBT-Module
IGBTs
Produktpalette: -
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V
  • Bauform - Transistor: Module
  • Dauer-Kollektorstrom: 247 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
  • Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45 V
  • Verlustleistung: 612 W
  • SVHC: To Be Advised
  • IGBT-Technologie: Trench-Transistor
  • Transistormontage: Platte
  • IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
  • RoHS konform: Ja
    • Die Konditionen im Überblick1
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