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STARPOWER GD1200HFY120C3S IGBT-MODUL, 1.2KV, 2.23KA


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Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8737-3912087
Hersteller:
     STARPOWER
Herst.-Nr.:
     GD1200HFY120C3S
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT Module
Schalttransistor
Transistor
igbt module
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
  • Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7 V
  • Verlustleistung: 8.196 kW
  • SVHC: To Be Advised
  • IGBT-Technologie: Trench-Transistor
  • Transistormontage: Platte
  • IGBT-Konfiguration: Halbbrücke
  • Produktpalette: -
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV
  • Bauform - Transistor: Module
  • Dauer-Kollektorstrom: 2.23 kA
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Gleichrichter, IGBT-Module, IGBTs, Thyristoren, Transistoren, STARPOWER, GD1200HFY120C3S, 3912087, 391-2087
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