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| Artikel-Nr.: 8737-3927790 Herst.-Nr.: SIHP24N80AEF-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17 ohmProduktpalette: EF Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 20 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: TO-220AB Drain-Source-Spannung Vds: 800 VVerlustleistung: 208 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, mosfet, mosfet 20a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIHP24N80AEF-GE3, 3927790, 392-7790 |
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