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| Artikel-Nr.: 8737-3929210 Herst.-Nr.: SIHG21N65EF-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15 ohmProduktpalette: E Series Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Bauform - Transistor: TO-247AC Dauer-Drainstrom Id: 21 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CDrain-Source-Spannung Vds: 650 VVerlustleistung: 208 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIHG21N65EF-GE3, 3929210, 392-9210 |
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