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| Artikel-Nr.: 8737-3929229 Herst.-Nr.: SIHP28N65EF-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102 ohmProduktpalette: E Series Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Bauform - Transistor: TO-220AB Dauer-Drainstrom Id: 28 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CDrain-Source-Spannung Vds: 650 VVerlustleistung: 250 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIHP28N65EF-GE3, 3929229, 392-9229 |
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