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| Artikel-Nr.: 8737-3929251 Herst.-Nr.: SIS888DN-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048 ohmProduktpalette: ThunderFET Series Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 20.2 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: PowerPAK 1212 Drain-Source-Spannung Vds: 150 VVerlustleistung: 52 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2 VSVHC: Lead (10-Jun-2022) RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, mosfet 20a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIS888DN-T1-GE3, 3929251, 392-9251 |
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