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VISHAY SIHH11N65EF-T1-GE3 MOSFET, N-KANAL, 650V, 11A, POWERPAK


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Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8737-3929253
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHH11N65EF-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.332 ohm
  • Produktpalette: E Series
  • Anzahl der Pins: 5 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 11 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: PowerPAK
  • Drain-Source-Spannung Vds: 650 V
  • Verlustleistung: 130 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 V
  • SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, mosfet 11a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIHH11N65EF-T1-GE3, 3929253, 392-9253
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