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| Artikel-Nr.: 8737-3929803 Herst.-Nr.: NXH200B100H4F2SG EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1 kVBauform - Transistor: Module Dauer-Kollektorstrom: 100 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CIGBT-Anschluss: Lötstift Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8 VVerlustleistung: 93 WSVHC: No SVHC (15-Jan-2018) IGBT-Technologie: IGBT 6 [Trench/Feldstop] Transistormontage: Platte IGBT-Konfiguration: PIM RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: igbt module, Dioden, Gleichrichter, IGBT-Module, IGBTs, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, NXH200B100H4F2SG, 3929803, 392-9803 |
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