Startseite > Elektronik, Elektrotechnik > Aktive Bauelemente > Gleichrichter Transistoren Dioden > Transistor > MOSFET > Artikel

ONSEMI NXH80B120MNQ0SNG MOSFET, SIC, 1.2KV, 23A, MODULE

Menge:

Stück

Produktinformationen

Artikel-Nr.:
8737-3929815

Hersteller:
onsemi

Herst.-Nr.:
NXH80B120MNQ0SNG

EAN/GTIN:
k.A.

Artikeldatenblatt

Suchbegriffe:

IGBT Module
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor

Rds(on)-Prüfspannung: 20 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08 ohm

Produktpalette: -

Anzahl der Pins: 22 Pin(s)

MOSFET-Modul-Konfiguration: DualPack

Kanaltyp: Zweifach n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 23 A

Betriebstemperatur, max.: 175 °C

Bauform - Transistor: Modul

Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 kV

Verlustleistung: 69 W

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 V

SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

RoHS konform: Ja

... > Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden > FETs > Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET & -Module

Weitere Suchbegriffe: Transistor, igbt module, (SiC)-MOSFET, Dioden, FETs, Gleichrichter, Module, Siliziumkarbid, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, NXH80B120MNQ0SNG, 3929815, 392-9815

Angebote (2)

Lagerstand

Mind.-Menge

Versand

Staffelpreis

Einzelpreis

Lager 3794

Frei Haus

ab CHF 74.77*

CHF 80.53*

Lager 8737

1 Tag

Frei Haus

ab CHF 45.12*

CHF 87.70*

Artikel empfehlen

Artikel merken

Preise: Lager 8737

Bestellmenge	Netto	Brutto	Einheit

1 Stück	CHF 87.70*	CHF 94.80	pro Stück
ab 2 Stück	CHF 86.46*	CHF 93.46	pro Stück
ab 5 Stück	CHF 68.09*	CHF 73.61	pro Stück
ab 10 Stück	CHF 50.98*	CHF 55.11	pro Stück
ab 20 Stück	CHF 49.15*	CHF 53.13	pro Stück
ab 50 Stück	CHF 49.14*	CHF 53.12	pro Stück
ab 3000 Stück	CHF 45.12*	CHF 48.77	pro Stück