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| Artikel-Nr.: 8737-3944133 Herst.-Nr.: DMN65D8LDWQ-7 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60 V Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 180 mAProduktpalette: - Anzahl der Pins: 6 Pin(s)Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60 VDauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 180 mADrain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 8 ohmKanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 8 ohmVerlustleistung, n-Kanal: 400 mWVerlustleistung, p-Kanal: 400 mWBetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: SOT-363 Qualifikation: AEC-Q101 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Transistor, diodes mosfet, smd transistor, Dioden, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, Zweifache, DIODES INC., DMN65D8LDWQ-7, 3944133, 394-4133 |
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