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| Artikel-Nr.: 8737-3944167 Herst.-Nr.: DMT6018LDR-13 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60 V Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.8 AProduktpalette: - Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60 VDauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.8 ADrain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.013 ohmKanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.013 ohmVerlustleistung, n-Kanal: 1.9 WVerlustleistung, p-Kanal: 1.9 WBetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: V-DFN3030 Qualifikation: - SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet 11a, Dioden, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, Zweifache, DIODES INC., DMT6018LDR-13, 3944167, 394-4167 |
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