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| Artikel-Nr.: 8737-3976629 Herst.-Nr.: RF4G100BGTCR EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0109 ohmProduktpalette: - Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 10 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: DFN2020 Drain-Source-Spannung Vds: 40 VVerlustleistung: 2 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 VSVHC: No SVHC (23-Jan-2024) RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: rohm mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ROHM, RF4G100BGTCR, 3976629, 397-6629 |
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