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TOSHIBA TK16G60W5,RVQ(S MOSFET, N-KANAL, 600V, 15.8A, TO-263


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-3977637
Hersteller:
     Toshiba
Herst.-Nr.:
     TK16G60W5,RVQ(S
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 V
  • SVHC: To Be Advised
  • Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
  • Dauer-Drainstrom Id: 15.8 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Drain-Source-Spannung Vds: 600 V
  • Verlustleistung: 130 W
  • RoHS konform: Keine Angaben
  • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, TOSHIBA, TK16G60W5,RVQ(S, 3977637, 397-7637
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