| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 8737-4014726 Herst.-Nr.: SIS4608LDN-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
| | |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094 ohmProduktpalette: TrenchFET Gen IV Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 36.2 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: PowerPAK 1212 Drain-Source-Spannung Vds: 60 VVerlustleistung: 27.1 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Ja |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIS4608LDN-T1-GE3, 4014726, 401-4726 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |