| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| Artikel-Nr.: 8737-4014733 Herst.-Nr.: SQJQ184E-T1_GE3 EAN/GTIN: k.A. |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014 ohmProduktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 430 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: PowerPAK SO-8L Drain-Source-Spannung Vds: 80 VVerlustleistung: 600 WQualifikation: AEC-Q101 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Ja |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SQJQ184E-T1_GE3, 4014733, 401-4733 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |