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| Artikel-Nr.: 8737-4036284 Herst.-Nr.: STB30N65M2AG EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15 ohmProduktpalette: MDmesh M2 Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 20 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Drain-Source-Spannung Vds: 650 VVerlustleistung: 190 WQualifikation: AEC-Q101 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 VSVHC: No SVHC (23-Jan-2024) RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: stm mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, STMICROELECTRONICS, STB30N65M2AG, 4036284, 403-6284 |
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