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ONSEMI NVBG022N120M3S SIC-MOSFET, N-KANAL, 1.2KV, 58A, D2PAK

Menge:

Stück

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
8737-4036823

Hersteller:
onsemi

Herst.-Nr.:
NVBG022N120M3S

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet

Rds(on)-Prüfspannung: 18 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022 ohm

Produktpalette: -

MSL: MSL 1 - unbegrenzt

Anzahl der Pins: 7 Pin(s)

MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins

Kanaltyp: n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 58 A

Betriebstemperatur, max.: 175 °C

Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)

Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 kV

Verlustleistung: 234 W

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.72 V

SVHC: Lead (23-Jan-2024)

RoHS konform: Ja

... > Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden > FETs > Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET & -Module

Weitere Suchbegriffe: mosfet d2pak, (SiC)-MOSFET, Dioden, FETs, Gleichrichter, Module, Siliziumkarbid, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, NVBG022N120M3S, 4036823, 403-6823

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