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INFINEON IAUT200N08S5N023ATMA1 MOSFET, N-KANAL, 80V, 200A, HSOF


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8737-4048472
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IAUT200N08S5N023ATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 200 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: HSOF
  • Drain-Source-Spannung Vds: 80 V
  • Verlustleistung: 200 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 V
  • SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, INFINEON, IAUT200N08S5N023ATMA1, 4048472, 404-8472
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