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| Artikel-Nr.: 8737-4049753 Herst.-Nr.: TW048N65C,S1F(S EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 18 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065 ohmProduktpalette: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s)MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 40 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: TO-247 Drain-Source-Spannung Vds: 650 VVerlustleistung: 132 WGate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: 40a mosfet, (SiC)-MOSFET, Dioden, FETs, Gleichrichter, Module, Siliziumkarbid, Thyristoren, Transistoren, TOSHIBA, TW048N65C,S1F(S, 4049753, 404-9753 |
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