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| Artikel-Nr.: 8737-4077834 Herst.-Nr.: SIHB080N60E-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07 ohmProduktpalette: E Series Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Dauer-Drainstrom Id: 35 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CDrain-Source-Spannung Vds: 600 VVerlustleistung: 227 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet to-263, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIHB080N60E-GE3, 4077834, 407-7834 |
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