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NEXPERIA PSMN1R1-30YLEX MOSFET, N-KANAL, 30V, 265A, SOT-669


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-4078655
Hersteller:
     Nexperia
Herst.-Nr.:
     PSMN1R1-30YLEX
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00101 ohm
  • Produktpalette: -
  • Anzahl der Pins: 4 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 265 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: SOT-669
  • Drain-Source-Spannung Vds: 30 V
  • Verlustleistung: 192 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2 V
  • SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, NEXPERIA, PSMN1R1-30YLEX, 4078655, 407-8655
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