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| Artikel-Nr.: 8737-4078666 Herst.-Nr.: PSMN028-100HSX EAN/GTIN: k.A. |
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| Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100 V Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 29 AProduktpalette: - Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100 VDauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 29 ADrain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0215 ohmKanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0215 ohmVerlustleistung, n-Kanal: 64 WVerlustleistung, p-Kanal: 64 WBetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: LFPAK56D Qualifikation: - SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) RoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: Dioden, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, Zweifache, NEXPERIA, PSMN028-100HSX, 4078666, 407-8666 |
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