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ONSEMI NTH4L028N170M1 MOSFET, SIC, 1.7KV, 81A, TO-247


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-4079791
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     NTH4L028N170M1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 20 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028 ohm
  • Produktpalette: -
  • Anzahl der Pins: 4 Pin(s)
  • MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 81 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: TO-247
  • Drain-Source-Spannung Vds: 1.7 kV
  • Verlustleistung: 535 W
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3 V
  • SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: (SiC)-MOSFET, Dioden, FETs, Gleichrichter, Module, Siliziumkarbid, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, NTH4L028N170M1, 4079791, 407-9791
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