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TOSHIBA XPQ1R004PB,LXHQ(O MOSFET, N-KANAL, 40V, 200A, L-TOGL


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8737-4154414
Hersteller:
     Toshiba
Herst.-Nr.:
     XPQ1R004PB,LXHQ(O
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
toshiba mosfet
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800 µohm
  • Produktpalette: U-MOSIX-H Series
  • Anzahl der Pins: 9 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 200 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: L-TOGL
  • Drain-Source-Spannung Vds: 40 V
  • Verlustleistung: 230 W
  • Qualifikation: AEC-Q101
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 V
  • SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: mosfet 200a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, TOSHIBA, XPQ1R004PB,LXHQ(O, 4154414, 415-4414
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