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ROHM RX3G07BBGC16 MOSFET, N-CH, 40V, 130A, TO-220AB


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-4158115
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     RX3G07BBGC16
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023 ohm
  • Produktpalette: -
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Durchsteckmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Bauform - Transistor: TO-220AB
  • Dauer-Drainstrom Id: 130 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Drain-Source-Spannung Vds: 40 V
  • Verlustleistung: 89 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 V
  • SVHC: To Be Advised
  • RoHS konform: Keine Angaben
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ROHM, RX3G07BBGC16, 4158115, 415-8115
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