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ROHM BSM600D12P4G103 MOSFET 2FACH N-KANAL 1.2KV, 567A, MODULE


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8737-4168760
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     BSM600D12P4G103
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: -
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: -
  • Produktpalette: -
  • Anzahl der Pins: 11 Pin(s)
  • MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
  • Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
  • Bauform - Transistor: Modul
  • Dauer-Drainstrom Id: 567 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Drain-Source-Spannung Vds: 1.2 kV
  • Verlustleistung: 1.78 kW
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.8 V
  • SVHC: To Be Advised
  • RoHS konform: Keine Angaben
    • Weitere Suchbegriffe: (SiC)-MOSFET, Dioden, FETs, Gleichrichter, Module, Siliziumkarbid, Thyristoren, Transistoren, ROHM, BSM600D12P4G103, 4168760, 416-8760
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