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| Artikel-Nr.: 8737-4168777 Herst.-Nr.: RD3P02BATTL1 EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.089 ohmProduktpalette: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: p-Kanal Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauer-Drainstrom Id: 20 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CDrain-Source-Spannung Vds: 100 VVerlustleistung: 56 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Keine Angaben |
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| Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ROHM, RD3P02BATTL1, 4168777, 416-8777 |
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