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YAGEO XSEMI XP3NA2R4MT MOSFET, N-KANAL, 30V, 118A, PMPAK


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-4168923
Hersteller:
     YAGEO XSEMI
Herst.-Nr.:
     XP3NA2R4MT
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024 ohm
  • Produktpalette: XP3NA2R4 Series
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 118 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: PMPAK
  • Drain-Source-Spannung Vds: 30 V
  • Verlustleistung: 5 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 V
  • SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
  • RoHS konform: Keine Angaben
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, YAGEO XSEMI, XP3NA2R4MT, 4168923, 416-8923
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