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| Artikel-Nr.: 8737-4168932 Herst.-Nr.: XP3N5R0M EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005 ohmProduktpalette: XP3N5R0 Series Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Bauform - Transistor: SOIC Dauer-Drainstrom Id: 17.4 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CDrain-Source-Spannung Vds: 30 VVerlustleistung: 2.5 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Keine Angaben |
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| Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, YAGEO XSEMI, XP3N5R0M, 4168932, 416-8932 |
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