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YAGEO XSEMI XP9565GEM MOSFET, P-KANAL, 40V, 6.5A, SOIC


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-4168966
Hersteller:
     YAGEO XSEMI
Herst.-Nr.:
     XP9565GEM
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038 ohm
  • Produktpalette: XP9565 Series
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: p-Kanal
  • Bauform - Transistor: SOIC
  • Dauer-Drainstrom Id: 6.5 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Drain-Source-Spannung Vds: 40 V
  • Verlustleistung: 2.5 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 V
  • SVHC: To Be Advised
  • Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • RoHS konform: Keine Angaben
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, YAGEO XSEMI, XP9565GEM, 4168966, 416-8966
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