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YAGEO XSEMI XP6677GH MOSFET, P-KANAL, 40V, 60A, TO-252


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8737-4168967
Hersteller:
     YAGEO XSEMI
Herst.-Nr.:
     XP6677GH
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123 ohm
  • Produktpalette: XP6677 Series
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: p-Kanal
  • Bauform - Transistor: TO-252
  • Dauer-Drainstrom Id: 60 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Drain-Source-Spannung Vds: 40 V
  • Verlustleistung: 69 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 V
  • SVHC: To Be Advised
  • RoHS konform: Keine Angaben
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, YAGEO XSEMI, XP6677GH, 4168967, 416-8967
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