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YAGEO XSEMI XP6NA1R4CXT MOSFET, N-KANAL, 60V, 210A, PMPAK


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-4168972
Hersteller:
     YAGEO XSEMI
Herst.-Nr.:
     XP6NA1R4CXT
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
210a mosfet
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00145 ohm
  • Produktpalette: XP6NA1R4C Series
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Bauform - Transistor: PMPAK
  • Dauer-Drainstrom Id: 210 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Drain-Source-Spannung Vds: 60 V
  • Verlustleistung: 5 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 V
  • SVHC: To Be Advised
  • RoHS konform: Keine Angaben
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, YAGEO XSEMI, XP6NA1R4CXT, 4168972, 416-8972
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