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YAGEO XSEMI XP10TN135H MOSFET, N-KANAL, 100V, 8.1A, TO-252


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Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8737-4168993
Hersteller:
     YAGEO XSEMI
Herst.-Nr.:
     XP10TN135H
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135 ohm
  • Produktpalette: XP10TN135H Series
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Bauform - Transistor: TO-252
  • Dauer-Drainstrom Id: 8.1 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Drain-Source-Spannung Vds: 100 V
  • Verlustleistung: 2 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 V
  • SVHC: To Be Advised
  • RoHS konform: Keine Angaben
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, YAGEO XSEMI, XP10TN135H, 4168993, 416-8993
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