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| Artikel-Nr.: 8737-4168993 Herst.-Nr.: XP10TN135H EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135 ohmProduktpalette: XP10TN135H Series Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Bauform - Transistor: TO-252 Dauer-Drainstrom Id: 8.1 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CDrain-Source-Spannung Vds: 100 VVerlustleistung: 2 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Keine Angaben |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, YAGEO XSEMI, XP10TN135H, 4168993, 416-8993 |
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