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YAGEO XSEMI XP60SA290DH MOSFET, N-KANAL, 600V, 13.3A, TO-252


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8737-4169004
Hersteller:
     YAGEO XSEMI
Herst.-Nr.:
     XP60SA290DH
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet 13a
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29 ohm
  • Produktpalette: XP60SA290D Series
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Bauform - Transistor: TO-252
  • Dauer-Drainstrom Id: 13.3 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Drain-Source-Spannung Vds: 600 V
  • Verlustleistung: 2 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 V
  • SVHC: To Be Advised
  • RoHS konform: Keine Angaben
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, YAGEO XSEMI, XP60SA290DH, 4169004, 416-9004
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