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YAGEO XSEMI XP65SL190DI MOSFET, N-KANAL, 650V, 20A, TO-220CFM


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
Artikel-Nr.:
     8737-4169010
Hersteller:
     YAGEO XSEMI
Herst.-Nr.:
     XP65SL190DI
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet 20a
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19 ohm
  • Produktpalette: XP65SL190D Series
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Durchsteckmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Bauform - Transistor: TO-220CFM
  • Dauer-Drainstrom Id: 20 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Drain-Source-Spannung Vds: 650 V
  • Verlustleistung: 1.92 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 V
  • SVHC: To Be Advised
  • RoHS konform: Keine Angaben
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, YAGEO XSEMI, XP65SL190DI, 4169010, 416-9010
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