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| Artikel-Nr.: 8737-4173137 Herst.-Nr.: TK65E10N1,S1X(S EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004 ohmProduktpalette: U-MOSVIII-H Series Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 148 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: TO-220 Drain-Source-Spannung Vds: 100 VVerlustleistung: 192 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 VSVHC: No SVHC (17-Jan-2023) RoHS konform: Keine Angaben |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: toshiba mosfet, mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, TOSHIBA, TK65E10N1,S1X(S, 4173137, 417-3137 |
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