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| Artikel-Nr.: 8737-4173146 Herst.-Nr.: TK6R8A08QM,S4X(S EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0053 ohmProduktpalette: U-MOSX-H Series Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Durchsteckmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 58 ABetriebstemperatur, max.: 175 °CBauform - Transistor: TO-220SIS Drain-Source-Spannung Vds: 80 VVerlustleistung: 41 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5 VSVHC: No SVHC (17-Jan-2023) RoHS konform: Keine Angaben |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, TOSHIBA, TK6R8A08QM,S4X(S, 4173146, 417-3146 |
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