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TOSHIBA TPW2900ENH,L1Q(M MOSFET, N-KANAL, 200V, 36A, DSOP


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8737-4173249
Hersteller:
     Toshiba
Herst.-Nr.:
     TPW2900ENH,L1Q(M
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
toshiba mosfet
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024 ohm
  • Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 36 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: DSOP
  • Drain-Source-Spannung Vds: 200 V
  • Verlustleistung: 142 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 V
  • SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
  • RoHS konform: Keine Angaben
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, TOSHIBA, TPW2900ENH,L1Q(M, 4173249, 417-3249
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