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NEXPERIA GAN080-650EBEZ TRANSISTOR, GAN, 650V, 29A, DFN


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     8737-4198478
Hersteller:
     Nexperia
Herst.-Nr.:
     GAN080-650EBEZ
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Schalttransistor
Transistor
schalttransistor
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06 ohm
  • Gate-Ladung, typ.: 6.2 nC
  • Produktpalette: -
  • Bauform - Transistor: DFN8080
  • Dauer-Drainstrom Id: 29 A
  • Drain-Source-Spannung Vds: 650 V
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Qualifikation: -
  • SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: (GaN)-FETs, Dioden, FETs, Galliumnitrid, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, NEXPERIA, GAN080-650EBEZ, 4198478, 419-8478
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