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| Artikel-Nr.: 8737-4199562 Herst.-Nr.: SI4190BDY-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077 ohmProduktpalette: TrenchFET Gen IV Series Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Bauform - Transistor: SO-8 Dauer-Drainstrom Id: 17 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CDrain-Source-Spannung Vds: 100 VVerlustleistung: 8.4 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Keine Angaben |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: mosfet 17a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SI4190BDY-T1-GE3, 4199562, 419-9562 |
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