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| Artikel-Nr.: 8737-4199572 Herst.-Nr.: SISS5623DN-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0195 ohmProduktpalette: - Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: p-Kanal Bauform - Transistor: PowerPAK 1212-8S Dauer-Drainstrom Id: 36.3 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CDrain-Source-Spannung Vds: 60 VVerlustleistung: 56.8 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6 VSVHC: To Be Advised RoHS konform: Keine Angaben |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SISS5623DN-T1-GE3, 4199572, 419-9572 |
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