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| Artikel-Nr.: 8737-9844899 Herst.-Nr.: FDS6875 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6 AProduktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20 VDauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - Kanaltyp: p-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.024 ohmVerlustleistung, n-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 2 WBetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: SOIC Qualifikation: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) RoHS konform: Ja |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Dioden, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, Zweifache, ONSEMI, FDS6875, 9844899, 984-4899 |
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