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VISHAY SI2343DS-T1-GE3 P CHANNEL MOSFET, -30V, 4A, TO-236, Chan


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737N-1837399
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI2343DS-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Kanaltyp: P Channel
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 V
  • Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Transistormontage: Surface Mount
  • MSL: MSL 1 - Unlimited
  • Produktpalette: -
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053 ohm
  • Qualifikation: -
  • Dauer-Drainstrom Id: 4 A
  • Bauform - Transistor: SOT-23
  • Verlustleistung: 750 mW
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • Drain-Source-Spannung Vds: 30 V
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SI2343DS-T1-GE3, 1837399, 183-7399
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