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VISHAY SI2315BDS-T1-GE3. P CHANNEL MOSFET, Channel Type:P Channel


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737N-1867177
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI2315BDS-T1-GE3.
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Drain-Source-Spannung Vds: 12 V
  • Kanaltyp: P Channel
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • Qualifikation: -
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04 ohm
  • Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V
  • Produktpalette: -
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Dauer-Drainstrom Id: 3 A
  • Bauform - Transistor: SOT-23
  • Verlustleistung: 750 mW
  • MSL: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900 mV
  • Transistormontage: Surface Mount
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: mosfet-transistor 3a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SI2315BDS-T1-GE3., 1867177, 186-7177
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