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VISHAY SI9435BDY-T1-GE3 P CHANNEL MOSFET, Channel Type:P Channel


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737N-1869009
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI9435BDY-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Dauer-Drainstrom Id: 4.1 A
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033 ohm
  • SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
  • Qualifikation: -
  • Kanaltyp: P Channel
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Transistormontage: Surface Mount
  • Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Bauform - Transistor: SOIC
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 V
  • MSL: MSL 1 - Unlimited
  • Verlustleistung: 1.3 W
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Produktpalette: -
  • Drain-Source-Spannung Vds: 30 V
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SI9435BDY-T1-GE3, 1869009, 186-9009
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